Page 12 - E-book_Neat

9

ั
็

1.2.3 หนวยความจําและจดเกบ

ื


1. หนวยความจํา (memory) หรอเรยกวา แรม (Random Access
ี

ี่

ู
็


Memory:RAM) ทําหนาทเกบขอมล และโปรแกรมทอยระหวางการประมวล
ู
ี่

ั
็
ื่

ผล ซงสามารถเกบรกษาไดเฉพาะเมอมไฟเลยงอย ลบไดเมอไมมไฟ (volatile)
ี

ี
ึ่
ื่
ู
ี้

มความจ (capacity) นอย
ุ
ี


ี่
ั
็
2.หนวยจดเกบ (secondary storage) ทําหนาทเกบขอมลและโปรแกรม โดยไม 

ู
็

ั

ี
ี


ื
ี้
ตองมไฟเลยง ไมลบเลอน (non-volatile) แบงตามเทคโนโลย ดงน ี้
สอบนทกแมเหลก (magnetic storage) เชน ฮารดดสก 

็

ิ
ื่
ั
ึ


ึ
ั
ื่

ี
ี
สอบนทกดวยแสง (optical storage) เชน ซดรอม
ึ
ิ
หนวยควมจําแบบแฟลช (flash memory) และสอบนทกโซลดสเตตไดรฟ
ื่

ั
(solid state drive)