Page 8 - MEMORIAS RAM

ENSAMBLAJE DE PC
DOC: HERRERA FLORES J.

Campo Valor de Descripción
ejemplo
CAS latency (CL) 15 Son los ciclos de reloj desde que se envía una dirección de columna a la memoria y el inicio de los datos que están
almacenados en la misma. Es el tiempo que se tarda en leer el primer bit de memoria de una RAM con la fila
correcta ya abierta.
Row Address to 15 El número de ciclos de reloj necesarios desde que se abre una fila de memoria y se accede a las columnas de su
Column Address interior. El tiempo para leer el primer bit de una memoria sin una fila activa es CL+TRCD.
Delay (TRCD)
Row Precharge Time 15 El número de ciclos de reloj necesarios desde el envío de un comando de precarga y la apertura de la siguiente fila.
(TRP) El tiempo para leer el primer bit de una memoria si está abierta una fila distinta es CL+TRCD+TRP
Row Active Time 30 El número de ciclos de reloj necesarios entre un comando de activación de fila y el envío del comando de precarga.
(TRAS) Este es el tiempo necesario para refrescar internamente una fila, solapándose con TRCD. En módulos SDRAM
(Syncronous Dynamic RAM, lo habitual) este valor es simplemente CL+TRCD. En otro caso, es aproximadamente
igual a (2 * CL)+TRCD.
Una pregunta muy habitual que nos hacéis es ¿En qué debemos fijarnos más entonces? La Respuesta es en todo: frecuencias y latencias.

Haciendo hincapié en la primera latencia (CAS) que suele ser la más notoria. Dependiendo del benchmark puede ser más interesante memorias
«lentas» con latencias muy ajustadas, o al revés, memorias muy rápidas aunque las latencias sean algo más relajadas. Como parámetro de
comparación, suele ser interesante calcular la latencia efectiva, ya que al medirse en ciclos de reloj puede que lo que a primera vista parece peor

latencia sea en realidad más elevada. Veamos a continuación como pasar una latencia de ciclos de reloj a nanosegundos.
Volviendo al ejemplo de antes, tenemos un kit trabajando a 2133MT/s, con una latencia CAS de 15 ciclos de reloj. ¿Cuánto es eso?

1/(2133*10^6 (mega))*10^9(nano)*15(ciclos)=7.03ns

Si lo cambiamos por un kit trabajando a 2666MT/s con la msima latencia.

1/(2666*10^6 (mega))*10^9(nano)*15(ciclos)=5.62ns

Es de esperar un rendimiento más alto, por la menor latencia efectiva. ¿Y si subimos ambas? ¿A 3000MT/s CL20 por ejemplo?

1/(3000*10^6 (mega))*10^9(nano)*20(ciclos)=6.66ns

Es de esperar un rendimiento superior, pero probablemente más bajo que en el primer caso. Como regla habitual, si los valores de latencia
efectiva son cercanos, elegir el kit que más alta tenga la frecuencia, ya que la frecuencia afecta de forma directa al ancho de banda a memoria

(que se calcula como bus x frecuencia), mientras que la latencia solo mejora eso, las latencias con distintas operaciones.
Es por todo esto que el overclock a memoria RAM es algo más complicado que en otros componentes, ya que es habitual que haya que

empeorar las latencias al subir la frecuencia, y es complicado saber a priori si estamos ganando o perdiendo rendimiento con el cambio. Para
colmo, los resultados en benchmarks no sintéticos tampoco suelen variar mucho.

Lo habitual en el overclock de RAM es, primeramente, subir la frecuencia lo máximo posible, sin tocar voltaje, empeorando todas las latencias
del orden de un 25-33% para evitar inestabilidades por ese lado. Cuando llegamos al valor más alto, intentamos bajar latencias paulatinamente,
subiendo el voltaje si es necesario, siempre manteniéndonos por debajo del voltaje base+0.1V (las restricciones de voltaje hoy en día son muy

estrictas, ya que no solo se fuerza el módulo, también el controlador de memoria del procesador). Al final con suerte terminaremos con latencias
similares a las de fábrica de nuestro módulo y frecuencias algo más elevadas.

Por ello, os recomendamos que sea siempre el último componente en realizarle overclock, ya que apenas vamos a notar mejora y evitaremos
forzar aún más el componente.
Casi obligatorio el modo Dual Channel

La tecnología de doble canal o Dual Channel permite un incremento de rendimiento del equipo gracias a que será posible el acceso simultáneo a
dos módulos distintos de memoria. Cuando está activa la configuración de dual channel, será posible acceder a bloques de información con un
ancho de palabra de 128 bits en lugar de los 64 típicos. Esto se nota especialmente cuando utilizamos tarjetas gráficas integradas en la placa base

ya que, en este caso, parte de la memoria RAM está compartida para su uso con esta tarjeta gráfica.

Para conseguir implementar esta tecnología, será necesario un controlador de memoria adicional situado en el chipset del puente norte de la placa
base. Para que un doble canal sea completmamente efectivo, los módulos de memoria deben ser del mismo tipo, tener la misma capacidad y

velocidad. Y deberá estar instalados en los slots indicados en la placa base (normalmente son los pares 1-3 y 2-4). Aunque no te preocupes por
que aunque sean distintas memorias también serán capaces de trabajar en Dual Channel

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