Page 21 - e-book 29.04.67.1
P. 21
2.สารกงตวนํา N และ P
ั
ึ่
ิ์
ั
ึ่
ิ
ี
สารกงตวนําบรสทธ (Intrinsic Semiconductor) จะมสภาพการนํา
ุ
ั
ี
ิ
ั
็
ไฟฟาทไมด เพราะอเลกตรอนวงนอกจะจบตวรวมกน โดยใชอเลกตรอนรวมกน
ิ
็
ี่
ั
ั
ี
ั
ื
ิ
็
ิ
ื่
เพอใหเกดภาวะเสถยร เสมอนมอเลกตรอนวงนอก 8 ตวจงไมเหมาะตอการใชงาน
ึ
ี
็
อเลกตรอน
ิ
P-Tpye N-Tpye
ี่
ิ
ู
รปท 1.3 การเตมสาร
ทมา: วดโอภาพเคลอนไหว
ี่
ื่
ิ
ิ
ั
ั
ิ
ิ
ื่
ั้
ิ
ดงนนในทางปฏบตจงมการเตมสารอนเขาไป เพอใหเกดสภาพนําไฟฟาท ี่
ี
ึ
ิ
ื่
ั
ี
ดกวาเดมเหมาะกบการใชงาน โดยการเตมสารหรอทเรยกกนทบศพทวา การ
ิ
ั
ื
ิ
ั
ั
ี่
ี
ี
ั้
โดป (Doping) สารนน จะมได 2 ลกษณะคอ
ื
ั
