Page 37 - สื่อ E-book ประกอบการสอนเรื่องไดโอด
P. 37
ี่
ั
รปท1.6 การไบอสตรง
ู
ี่
ทมา : [2]
ดานลบของ VBIAS ถกตอเขากบบรเวณ R ของไดโอดและดาน
ิ
ู
ั
ั
ิ
ั
ึ่
ื่
ี่
ั
ู
บวกถกตอเขากบบรเวณ p นเปนหนงในเงอนไขสําหรบการไบอสไปขาง
ื
ี่
หนา (forward bias) เงอนไขทสองคอ แรงดนไบอส VBIAS จะตอง
ั
ั
ื่
ั้
ั
มากกวาศกยกน (barrier potential)
ู
ภาพพนฐานของสงทเกดขนเมอไดโอดอยในสถานะไบอสไปขาง
ิ
ื่
ั
ึ้
ี่
ื้
ิ่
ี
ี่
ื่
ิ
ื
ี่
ุ
หนา (forward-biased) แสดงในวดโอท 1.19 เนองจากประจทเหมอน
ั
็
กนจะผลกกน ดานลบของแหลงจายแรงดนไบอสจะผลกอเลกตรอน
ั
ั
ั
ั
ิ
ั
ื่
ี่
อสระ ซงเปนตวพาประจสวนใหญในบรเวณ n ใหเคลอนทไปยงรอยตอ
ิ
ุ
ึ่
ั
ั
ิ
ิ
p-n การไหลของอเลกตรอนอสระนเรยกวากระแสอเลกตรอน(electron
็
ิ
ิ
ี้
็
ี
current) นอกจากนดานลบของแหลงจายยงทําใหอเลกตรอนไหลอยาง
ี้
็
ิ
ั
ื่
ตอเนองผานการเชอมตอภายนอก (ตวนํา)
ั
ื่
