Page 37 - สื่อ E-book ประกอบการสอนเรื่องไดโอด
P. 37
ี่
ั
รปท1.6 การไบอสตรง
ู
ี่
ื
ั
ทมา :หนงสอ ELECTRONIC DEVICES
ู
ดานลบของ VBIAS ถกตอเขากบบรเวณ R ของไดโอดและดาน
ิ
ั
ั
ิ
ึ่
ื่
ี่
ั
ู
บวกถกตอเขากบบรเวณ p นเปนหนงในเงอนไขสําหรบการไบแอสไป
ื่
ั
ขางหนา (forward bias) เงอนไขทสองคอ แรงดนไบแอส VBIAS จะ
ี่
ื
ตองมากกวาศกยกน (barrier potential)
ั
ั้
ิ
ื้
ี่
ภาพพนฐานของสงทเกดขนเมอไดโอดอยในสถานะไบแอสไปขาง
ู
ึ้
ื่
ิ่
ุ
ื
หนา (forward-biased) แสดงในวดโอท 1.19 เนองจากประจทเหมอน
ี
ี่
ิ
ี่
ื่
ั
ั
กนจะผลกกน ดานลบของแหลงจายแรงดนไบแอสจะผลกอเลกตรอน
ั
ิ
ั
็
ั
ิ
ึ่
ื่
ิ
ั
ั
ุ
ี่
อสระ ซงเปนตวพาประจสวนใหญในบรเวณ n ใหเคลอนทไปยงรอยตอ
็
ี
ิ
ิ
p-n การไหลของอเลกตรอนอสระนเรยกวากระแสอเลกตรอน(electron
็
ี้
ิ
็
ี้
current) นอกจากนดานลบของแหลงจายยงทําใหอเลกตรอนไหลอยาง
ิ
ั
ื่
ตอเนองผานการเชอมตอภายนอก (ตวนํา)
ั
ื่
