Page 149 - Untitled
P. 149
༛
132༛༛༛บททีไ༛5༛ตระกูลเอซีดิจิตอลละลอจิก༛ ༛ วงจรดิจิตอลละลอจิก༛
ั
༛ ༛ ༛ 5.3.1.5༛ทีทีอลบบ༛Fast༛:༛F༛คลຌายกบ༛Advanced༛Low-Power༛Schottky༛TTL༛ตท้างาน
เดຌชຌากวา༛การสิๅนปลืองพลังงานเฟฟງานຌอยกวาทีทีอลมาตรฐาน༛
༛ ༛ ༛ ดังนัๅนการท้างานของเอซีทีทีอลสามารถน้ามาปรียบการท้างาน฿นรืไองของก้าลังงานทีไ฿ชຌละ
ความรใว฿นการท้างานของตละกลุมเดຌดังนีๅ༛
༛ ༛ ༛
ก้าลังเฟฟງาทีไ฿ชຌ༛
สูง༛ H༛ S༛ Std༛ AS༛ F༛ LS༛ ALS༛ L༛ ตไ้า༛
༛ ༛ ༛ ༛ ༛ ༛ ༛ ༛ ༛ ༛
ความรใว฿นการท้างาน༛
สูง༛ AS༛ F༛ S༛ H༛ ALS༛ LS༛ Std༛ L༛ ชຌา༛
༛
ิไ
ิไ
ืไ
༛ 5.3.2༛บบเมอมตัว༛฿ชຌทรานซิสตอรຏ฿หຌท้างาน฿นสถานะอมตวหรือคัทออฟ༛พอท้า฿หຌกดสภาวะ
ั
ิ
ลอจิก༛1༛ละ༛0༛฿นการออกบบ฿หຌท้างาน฿นชวงทีไสຌนคຌงลักษณะสมบัติปຓนสຌนตรง༛จะชวยจ้ากัดวลา
ของการอิไมตัวของทรานซิสตอรຏ༛พืไอ฿หຌการปลีไยนปลงระดับลอจิกทัๅงสองรใวขึๅน༛บงเดຌ༛2༛ชนิด༛
༛ ༛ ༛ 5.3.2.1༛อิมตตอรຏคัปปຂลลอจิก༛(Emitter༛Couple༛Logic༛:༛ECL)༛จะท้างานเดรใวกวาบบ
ຌ
ิ
ทีทีอล༛
2
༛ ༛ ༛ 5.3.2.2༛อินทริกรตอินจคชันลอจิก༛(Integrated༛Injection༛Logic༛:༛I C)༛จะสิๅนปลืองพลังงาน
เฟฟງานຌอยกวาบบเบพลารຏละมีขนาดลใกกวา༛นืไองจากการออกบบ฿หຌมีขนาดลใก༛จึงมีราคาสูงมาก༛
༛
5.4༛เอซีตระกูลมอส༛(Mos༛Families)༛
༛ การออกบบเอซีทีไมีความหนานนมากโ༛ดย฿ชຌเบพลาทรานซิสตอรຏท้าเดຌยาก༛มีตຌนทุนการผลิตสูง༛
ี
จึงเดຌมการน้าอามอสมา฿ชຌทนดย฿ชຌทรานซิสตอรຏทีไปຓนบบฟต༛฿นการออกบบวงจรภาย฿นท้า฿หຌ
สิๅนปลืองพลังงานเฟฟานอยละสามารถท้า฿หຌมขนาดลใกมาก༛นิยมน้าเปผลิตปຓนเอซีทีไมีความซับซຌอน༛
ຌ
ี
ງ
ชน༛เมครปรซสซอรຏ༛หนวยความจ้า༛ละทนตอสัญญาณรบกวนเดຌดี༛(นอยสຏมารຏจินมีคาสูง)༛ตมีปຑญหา
฿นรืไองความรใวของการสวิตชຏทีไชຌากวาบบเอซีตระกูลทีทีอล༛ละรืไองเฟฟງาสถิต༛ซีมอสบงปຓนตระกูล
ตางโ༛เดຌดังน༛ ีๅ
้
ิ
༛ 5.4.1༛พีชนนลมอส༛(P-Channel༛MOS༛:༛PMOS)༛ปຓนมอสบบทีไนามา฿ชຌ฿นวงจรดจิตอลพีมอสเด ຌ
จากการดป༛พชนนลมอส༛ท้า฿หຌมีทรานซิสตอรຏหนานนมากถึง༛11,000༛-༛15,000༛ตอ༛1༛ชิป༛฿ชຌปຓน
ี
ชิปของหนวยความจ้าทีไเมตຌองการความรใวสูง༛ชน༛฿นครืไองคิดลข༛ปຓนมอสทีไมีความรใวตไ้าละตຌองการ
หลงตอเฟ༛2༛ชุด༛
༛ 5.4.2༛อนชนนลมอส༛(N-Channel༛MOS༛:༛NMOS)༛ท้าจากอในชนนลฟต༛จะมีกระสเหลผาน
ใ
สารกึไงตัวน้าทีไดปดวยตัว༛N༛รใวกวาทีไดปดຌวย༛P༛NMOS༛ปຓนอุปกรณຏทีไสามารถพิไมความรใวปຓน༛2༛ทา༛༛
ຌ
฿ชຌปຓนเมครปรซสซอรຏละเมครคอมพิวตอรຏ༛ปຓนเอซีทีไมีขนาด฿หญ༛
