Page 36 - ไดโอด
P. 36
1.2 การไบอส
ั
ู
ื่
็
ิ
ี่
ื่
อเลกตรอนไมสามารถเคลอนทผานรอยตอ p-n ไดเมออยใน
ั
ั่
ึ
ุ
สภาวะสมดลโดยทวไปคําวา bias หมายถงการใชแรงดนไฟฟากระแส
ตรง (DC voltage) เพอกําหนดเงอนไขการทํางานของอปกรณ
ื่
ื่
ุ
ั
ิ
ิ
ั
็
ี
ั
ู
อเลกทรอนกสสําหรบไดโอดจะมสภาวะไบอสอยสองแบบไดแก ไบอส
ั
ั
ตรง (forward bias) และไบอสยอนกลบ (reverse bias) สภาวะไบอส
ั
เหลานเกดขนจากการตอแรงดนไฟฟากระแสตรงทมขวทเหมาะสมเขา
ั
ิ
ี้
ี่
ึ้
ี่
ั้
ี
ั
กบรอยตอ p-n
ั
1.2.1 ไบอสตรง (Forward Bias)
ั
ในการไบอสไดโอดจะตองจายแรงดนไฟฟากระแสตรง (DC) ให
ั
ั
ั
ี่
กบไบอสตรง (Forward Bias) เปนเงอนไขททําใหกระแสไฟฟาสามารถ
ื่
ั
ี่
ู
ไหลผานรอยตอ p-n ในรปท 1.1 แสดงแหลงจายแรงดนไฟฟากระแส
ั
ู
ุ
ั
ี่
ตรงทเชอมตอวสดนําไฟฟา (ขวตอและสายไฟ) ถกตอเขากบไดโอดใน
ื่
ั้
ิ
ั
ี่
ั
ทางททําใหเกดการไบอสไปขางหนา (forward bias) แรงดนไบแอสภาย
ี่
ี้
ู
นอกนถกกําหนดใหเปน VBIAS ตวตานทาน R ทําหนาทจํากดกระแส
ั
ั
ไฟฟาใหอยในระดบทไมทําใหไดโอดเสยหาย
ั
ี่
ี
ู
