Page 37 - ไดโอด
P. 37
ี่
ั
รปท1.6 การไบอสตรง
ู
ื
ทมา :หนงสอ ELECTRONIC DEVICES
ั
ี่
ู
ั
ิ
ดานลบของ VBIAS ถกตอเขากบบรเวณ R ของไดโอดและดาน
ั
ิ
ึ่
ื่
ี่
ั
ู
บวกถกตอเขากบบรเวณ p นเปนหนงในเงอนไขสําหรบการไบแอสไป
ื่
ั
ขางหนา (forward bias) เงอนไขทสองคอ แรงดนไบแอส VBIAS จะ
ี่
ื
ั
ตองมากกวาศกยกน (barrier potential)
ั้
ื้
ี่
ิ
ภาพพนฐานของสงทเกดขนเมอไดโอดอยในสถานะไบแอสไปขาง
ู
ึ้
ื่
ิ่
ื
ุ
ี่
ี
หนา (forward-biased) แสดงในวดโอท 1.19 เนองจากประจทเหมอน
ิ
ี่
ื่
ั
กนจะผลกกน ดานลบของแหลงจายแรงดนไบแอสจะผลกอเลกตรอน
ั
ั
ิ
ั
็
ั
ิ
ึ่
ื่
ิ
ุ
ั
ั
ี่
อสระ ซงเปนตวพาประจสวนใหญในบรเวณ n ใหเคลอนทไปยงรอยตอ
ิ
ิ
็
ิ
ี้
p-n การไหลของอเลกตรอนอสระนเรยกวากระแสอเลกตรอน(electron
ี
็
็
ี้
current) นอกจากนดานลบของแหลงจายยงทําใหอเลกตรอนไหลอยาง
ิ
ั
ื่
ตอเนองผานการเชอมตอภายนอก (ตวนํา)
ั
ื่
