Page 25 - e-book 08.05.67
P. 25
ี่
ู
รปท1.3 รอยตอ P N
ื
ั
ี่
ทมา: หนงสอ ELECTRONIC DEVICES
ี่
ึ
ั
ิ
็
ี
กอนทจะเกดรอยตอ pn โปรดระลกไววามอเลกตรอนมากเทากบ
ิ
ุ
ุ
ั
ั
โปรตอนในวสดประเภท (N - Tpye) ซงทําใหวสดเปนกลางในแงของประจ ุ
ึ่
สทธ เชนเดยวกน
ั
ี
ุ
ิ
ิ
ึ้
ิ
ี
็
ื่
ิ
ู
เมอรอยตอ PN เกดขนบรเวณ (N - Tpye) จะสญเสยอเลกตรอนอสระ
ิ
ี้
ั
ิ่
ื่
ุ
เมอพวกมนกระจายขามจดเชอมตอ สงนจะสรางชนประจบวก (เพนตะวาเลน
ุ
ั้
ื่
ิ
ตไอออน) ใกลกบทางแยก เมออเลกตรอนเคลอนทขามทางแยก บรเวณ (P -
ี่
ื่
ื่
ิ
็
ั
ั
ิ่
ี้
ิ
ั้
ื่
็
Tpye) จะสญเสยโฮลเมออเลกตรอนและโฮลมารวมกน สงนจะสรางชนประจ ุ
ู
ี
ลบ (ไอออนไตรวาเลนท) ใกลกบทางแยก ประจบวกและลบสองชนนกอตว
ั้
ั
ั
ุ
ี้
ิ
เปนบรเวณรอยตอ ดงแสดงในรป
ู
ั
