Page 27 - e-book 08.05.67
P. 27
4.การไบแอส
ื
ิ
ี
การไบแอส ใหรอยตอ P-N ทําได 2 วธ คอ การใหไบแอสตรง (Forward
ึ
Bias) และ การใหไบแอสกลบ (Reverse Bias) การไบแอส หมายถง การปอนแรงดน
ั
ั
ี่
ไฟฟาเขาทสารกง ตวนําชนดPและN
ึ่
ั
ิ
4.1 การไบแอสตรง
ี
ึ่
ั้
ั
ั้
คอการจายไฟฟาขวบวก (+) ใหกบสารกงตวนําชนดพ และแหลงตอขว ลบ
ั
ื
ิ
ู
ั
็
็
(-) ใหกบสารกงตวนําชนดเอน จะทําใหอเลกตรอนทมอยจํานวนมาก (Majority) ใน
ิ
ี
ึ่
ั
ิ
ี่
ี
ั
ิ
ึ่
ชนสารกงตวนําชนด-N เคลอนทขามรอยตอทนท เกดกระแสไฟฟาจํานวนมากไหล
ี่
ิ
ั
ื่
ิ้
ผานรอยตอ P-N ได อยางไรกตามยงคงมแรงดนตกครอมรอยตอประมาณ 0.6 V
ั
ั
ี
็
เมอมกระแส ไหลผานรอยตอ P-N ดงรปท 1.9 ใหซลคอนอะตอม (Silicon Atom ;
ิ
ิ
ี
ื่
ั
ู
ี่
ั
ั
ึ่
ึ่
Si - atom) เปน อะตอมของสารกงตวนําชนดหนงทสําคญและนํามาใชสรางเปน
ิ
ี่
อปกรณสารกงตวนําเกอบทกชนด
ื
ึ่
ั
ุ
ิ
ุ
