Page 172 - Bella
P. 172
167.
สาธกึ่งตัวน า ชนิด P และ ชนิด N
สารที่งตัวน้ าบริสุทธิ์ (Intrinsic Semiconductor) จะมีสภาพการน าไฟฟ้าที่
ไม่ดีเพราะอิเล็กตรอนวงนอกจะจับตัวรวมกัน โดยใช้อิเล็กตรอนร่วมกันเพื่อให้เกิดภาวะ
เสถียร เสมือนมีอิเล็กตรอนวงนอก 8 ตัว จึงไม่เหมาะต่อการใช้งาน ดังนั้นในทางปฏิบัติ
จึงมีการเดิมสารอื่นเข้าไปเพื่อให้เกิดสภาพน าไฟฟ้าที่ดีกว่าเดิม เหมาะกับการใช้งานโดย
การเติมสารหรือที่เรียกกันทับศัพท์ว่า การโดป (Doping) สารนั้น จะมีได้ 2 ลักษณะ คือ
1. เดิมสารที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 3 ตัว เช่น อะลูมิเนียม หรือแกลเลียมลงไป
ท าให้เกิดสภาวะขาดอิเล็กตรอน คือจะมีที่ว่างของอิเล็กตรอนซึ่งเรียกว่า โฮล (Hole)
มากกว่าจ านวนอิเล็กตรอนอิสระด้วยเหตุที่โฮลมีสภาพเป็นประจุไฟฟ้าบวก และเป็น
พาหะส่วนใหญ่ของสาร ส่วนอิเล็กตรอนจะเป็นพาหะส่วนน้อย เราจึงเรียกสารกึ่งตัวน า
ประเภทนี้ว่าสารกึ่งตัวน า ชนิด P (P-type Semiconductor)
2.เติมสารที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 5 ตัว เช่น สารหนู หรือฟอสฟอรัสลงไป ท า
ให้เกิดสภาวะมีอิเล็กตรอนอิสระมากกว่าจ านวนของโฮล ด้วยเหตุที่อิเล็กตรอนมีประจุ
ไฟฟ้าสบและเป็นพาหะส่วนใหญ่ ส่วนโฮลเป็นพาหะส่วนน้อยของสารเราจึงเรียกว่าเป็น
สารกึ่งตัวน าชนิด N (N-type Semiconductor)
รูปที่ 12.2 แสดงสารกึ่งตัวน าชนิด P และ ชนิด N
