Page 185 - Bella

180.

การไบอัสทรานซิสเตอร์
การจัดไบอัสในลักษณะให้ไบอัสตรงกับรอยต่อเบสอิมิตเตอร์ และให้ไบอัส

กลับแก่เบส-คอลเล็กเตอร์ ดังรูปที่ผ่านมา มีความยุ่งยากตรงที่ต้องมีแหล่งจ่ายไฟถึง 2

แหล่งจ่ายดังนั้นในทางปฏิบัติจึงมีการจัดไบอัสในลักษณะใช้แหล่งจ่ายแหล่งเดียว โดยมี

รูปแบบที่ใช้กันดังรูป

รูปที่ 12.20 แสดงการไบอัสทรานซิสเตอร์แบบต่าง ๆ

แบนไบอัสคงที่ (Fixed Bias) เป็นการไบอัสโดยใช้ตัวด้านทาน Rb ค่ามาก ๆ
ต่อจากแหล่งจ่ายไฟฟ้าไปยังขาเบส โดยท าให้มีกระแสเบสไหลท าให้เกิดกระแส

คอลเล็กเตอร์ไหลผ่าน Rc

แบบไบอัสตัวเอง (Self Bias) เป็นการต่อตัวด้านทานระหว่างชา B และ ขา C

แบบแบ่งแรงดัน (Voltage divider Bias) จะเป็นการใช้ตัวด้านทาน R1 และ
R2แบ่งแรงดันแหล่งจ่ายไฟเพื่อใบอัสให้กับรอยต่อ เบส-อิมิตเตอร์ และเบส-

คอลเล็กเตอร์โดยส่วนใหญ่ค่าความต้าน R1 จะมากกว่า R2 ประมาณ 10 เท่า

การจัดไบอัสให้แก่ทรานซิสเตอร์ คือ การก าหนดจุดท างานของทรานซิสเตอร์ หรืออีกนัย
หนึ่งก็คือเตรียมความพร้อมเพื่อให้ทรานซิสเตอร์ท างานนั้นเอง