Page 57 - ЭВМ

Рис. 3.1. Классификация ИМС

Пленочные ИМС состоят из элементов, которые выполнены
в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика. Тонкие
–6
пленки (не более 10 м) обычно наносят термовакуумным осаждени-
ем и катодным распылителем пленкообразующего состава, а толстые
–6
(более 10 м) – шелкографией или втиранием состава через «маску».
Методом пленочной технологии обычно изготовляют пассивные эле-
менты схем – резисторы, конденсаторы и индуктивности. Пленочная
технология предпочтительна в тех случаях, когда необходимо изгото-

вить сравнительно небольшое количество специализированных схем
с высокой точностью номиналов пассивных элементов.
Полупроводниковые микросхемы в настоящее время являются
одним из наиболее перспективных направлений микроэлектроники,
поскольку дают возможность изготавливать высококачественные
активные элементы и относительно просто осуществлять их защиту.
В полупроводниковых (монолитных) микросхемах все составляющие
элементы выполняются в объеме или на поверхности одного полу-

проводникового кристалла, помещенного в корпус.
Наряду с полупроводниковой и пленочной широко применяется
гибридная технология, в которой сочетаются тонкопленочные или

57