Page 58 - ЭВМ

толстопленочные активные элементы с полупроводниковыми актив-
ными элементами.
По степени интеграции микросхемы подразделяются на малые
интегральные схемы – малая степень интеграции, средние интеграль-

ные схемы – средняя степень интеграции, большие интегральные схе-
мы (БИС) – большая степень интеграции, сверхбольшие интеграль-
ные схемы (СБИС) – сверхбольшая степень интеграции, ультроболь-
шие интегральные схемы – ультрабольшая степень интеграции и ги-
габольшие интегральные схемы – гигабольшая степень интеграции.

Выделяют 6 уровней интеграции:
– первая степень интеграции – до 100 элементов и компонентов;
– вторая степень интеграции – от 100 до 1 тыс. элементов;
– третья степень интеграции – от 1 тыс. до 10 тыс. элементов;

– четвертая степень интеграции – от 10 тыс. до 1 млн элементов;
– пятая степень интеграции – от 1 млн до 1 млрд элементов;
– шестая степень интеграции – более 1 млрд элементов.
В зависимости от функционального назначения различают ана-
логовые и цифровые ИМС. Аналоговые ИМС используются для пре-
образования и обработки сигналов, меняющихся по закону непрерыв-

ной функции. Цифровые ИМС оперируют с сигналами, меняющимися
по закону дискретной функции.
Выпускают ИМС в виде серий. Серия ИМС – совокупность ти-
пов ИМС, которые могут выполнять различные функции, имеют еди-

ное конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для
совместного применения. В состав серий могут входить как простей-
шие микросхемы малой или средней степени интеграции, реализую-
щие простейшие функции алгебры логики и выступающие в роли от-
дельных логических элементов, так и ИМС с повышенной степенью
интеграции, содержащие десятки и сотни ЛЭ и реализующие функции

целых узлов и устройств ЭВМ. Логические ИМС полностью характе-
ризуются параметрами, определенными для ЛЭ.
По принятой системе классификации все выпускаемые отечест-
венные ИМС подразделяются на группы, подгруппы и виды.

Классификационным признаком существующих трех групп
микросхем является их конструктивно-технологическое исполнение,
в зависимости от которого различают:
– полупроводниковые ИМС – интегральные микросхемы, все
элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме
и на поверхности исходного полупроводникового материала;

58