Page 87 - Bella
P. 87
82.
ตัวต้านทานไวร์วาวด์ (Wire Wound)
โครงสร้างของตัวต้านทานแบบนี้เกิดจากการใช้ลวดพันลงบนเส้นลวดแกน
เซรามิก หลังจากนั้นต่อลวดตัวน าด้านหัวและท้ายของเส้นลวดที่พัน ส่วนค่าความ
ต้านทานขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ท าเป็นลวดตัวน า ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางชองแกนเซรามิก
และความยาวของลวดตัวน าขั้นตอนสุดท้ายจะเคลือบด้วยสารประเภทเซรามิก บริเวณ
รอบนอกอีกครั้งหนึ่ง ค่าความต้านทานของตัวต้านทานแบบนี้
รูปที่ 6.5 แสดงตัวต้านทานแบบไรว์วาวด์ชนิดต่างๆ
ตัวต้านทานแบบผ่านฟิล์มหนา (Thick Film Network)
โครงสร้างของตัวต้านทานแบบนี้ท ามาจากแผ่นฟิล์มหนา มีรูปแบบแตกต่าง
กันขึ้นอยู่กับการใช้งาน ในรูปที่ 6.6 แสดงตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาประเภทไร้ขา (Chip
Resistor)ตัวต้านทานแบบนี้ต้องใช้เทคโนโลยี SMT (Surface Mount Technology)
ในการผลิตมีอัตราทนก าลังประมาณ 0.063 วัตต์ ถึง 500 วัตต์ ค่าความคลาดเคลื่อน
บวกลบ 1% ถึงบวกลบ 5% (จากหนังสือ Farnell ll-Semi Conductor and Passines
หน้า 294-310 )
รูปที่ 6.6 แสดงตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาชนิดต่างๆ
