Page 39 - февраль
P. 39

СЕКРЕТ УСПЕХА

                                                                          –  В  нашем  случае  нанесение  по-
                                                                  крытия  происходит  из  газовой  фазы,  –
                                                                  рассказывает  Даниил  Зуза.  –  Мы  берем
                                                                  вещество,  которое  мы  называем  моно-
                                                                  мер  (по  аналогии  с  полимеризацией  в
                                                                  традиционном  смысле),  испаряем  его  и
                                                                  транспортируем  эти  пары  в  плазму,  где
                                                                  происходят  различные  плазмохимиче-
                                                                  ские  реакции.  В  результате  образуют-
                                                                  ся  активные  частицы,  которые  оседают
                                                                  на подложку и формируют покрытие. По
                                                                  времени этот процесс занимает не более
                                                                  30  минут,  а  покрытие  получается  глад-
                                                                  ким  и  механически  прочным.  Поскольку
                                                                  осаждение происходит из газовой фазы,
                                                                  не  возникает  проблем  с  проникновени-
                                                                  ем реакционного газа в труднодоступные
                                                                  места.
                                                                          По  словам  разработчиков,  новое
                                                                  покрытие  способно  защитить  электри-
                                                                  ческие  печатные  платы  и  электронные
                                                                  компоненты,  работающие  в  агрессивной
                                                                  окружающей  среде  –  при  повышенной
                                                                  влажности, перепадах температур и при
                                                                  наличии химически агрессивных веществ.
                                                                  В частности, тестирование показало, что
                                                                  покрытие  сохраняет  свои  функциональ-
                                                                  ные  свойства  после  термоциклирования
                                                                  на  воздухе  в  диапазоне  температур  от
                                                                  -196°C до +130°C.
                                                                          Добавим,  что  учёные  планируют
                                                                  продолжить  исследования  и  расширить
                                                                  области  применения  нового  покрытия.
                                                                  Например, совместная разработка иссле-
                                                                  дователей из ТГУ и ИСЭ перспективна для
                                                                  использования  в  космическом  простран-
                                                                  стве  для  защиты  токоведущих  частей
                                                                  космических аппаратов.




                                                                                      Томский государственный университет

                                                                                                  Станочный парк        39
   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44