Page 37 - февраль

СОВЕТЫ СПЕЦИАЛИСТОВ
и низкоэнергетичного ионного ассистирова- мую поверхность составил 0,25 А. Ранее
ния. В этом случае эффективно использование в исследованиях было установлено, что
цилиндрической МРС с несбалансированной при повышении расхода газа через анод
магнитной системой. В настоящее время нами УАС (или при понижении разрядного на-
разрабатывается и исследуется ЦМРС подоб- пряжения ниже определённых значений)
ного типа. Однако незавершённость разра- ускорительный режим УАС «срывается»
ботки этой конструкции и срочный характер и ускоритель ионов начинает работать в
поставленной задачи заставил искать другое режиме генерации плазмы. Плазмой за-
техническое решение. полняется пространство между подлож-
Для предварительной ионной подготовки кой и АИИ, чем создаются условия для
и ионного ассистирования нами использовался реализации режима ионного ассисти-
автономный источник газоразрядной плазмы. рования. При напряжении смещения на
Конструктивная схема интегрированного плаз- подложке 60 В поверхность подложки
менного устройства включала КМРС и автоном- бомбардируется низкоэнергетичными ио-
ный ионный источник (АИИ), расположенные нами, ассистирующими процесс конден-
соосно в полости обрабатываемого изделия сации ионно-плазменного покрытия.
(рис. 2б). В качестве АИИ был использован В настоящей работе представлены
ионный источник с узким анодным слоем (УАС результаты разработки индивидуальных
типа «Радикал»). В отличие от «Радикала», и интегрированных плазменных техноло-
выходная апертура аксиальной магнитной си- гические устройств, позволяющих нано-
стемы УАС находилась не на плоской торцевой сить покрытия различной архитектуры,
поверхности магнитных полюсов, а на кони- состава и назначения на внутренние ра-
ческой поверхности (рис. 2б). Таким образом бочие поверхности деталей значитель-
формировался сильно расходящийся поток га- ной длины и диаметра (от 20 мм и более),
зовых ионов, который облучал поверхность выполненных из ферромагнитных и не-
конденсации покрытия высокоэнергетичными ферромагнитных конструкционных мате-
газовыми ионами. При разрядном напряжении риалов.
УАС U = 1500 В ионный ток на обрабатывае-

А. Д. Гришкевич.
Институт технической механики Национальной
академии наук Украины и Государственного космического
агентства Украины, Днепропетровск.

Литература:
1. Патент на изобретение № 38845U, Украина, МПК С23С 14/00. Плазменное устройство/Гришкевич А.Д., заявитель и патентобладатель
Институт технической механики НАНУ и ГКАУ. – u200808700, заявл. 01.07.2008, опубл. 26.01.2009, Бюл. № 2 – 4 с.
2. Патент на изобретение № 93471, Украина, МПК С23С 14/35, 14/56. Ионно-плазменная установка/Гришкевич А.Д., Гринюк С.И., заяви-
тель и патентобладатель Институт технической механики НАНУ и ГКАУ. – а201005669; заявл. 11.05.2010, опубл. 10.02.2010, Бюл. № 23
– 4 с.
3. Патент на изобретение № 93833U, Украина, МПК С23С 14/00. Ионно-плазменное устройство «гибридного» типа/Гришкевич А.Д., заяви-
тель и патентобладатель Институт технической механики НАНУ и ГКАУ. –a201005613, заявл. 11.05.2010, опубл.10.03.2011, Бюл. № 5 – 4 с.

Станочный парк 37