Page 36 - февраль
P. 36

СОВЕТЫ СПЕЦИАЛИСТОВ

        разряда.  При  наличии  третьего  электрода  появилась  аноды  или  обобщённый  поло-
        возможность подавать на обрабатываемую деталь от-                       жительный  электрод.  Подробно
        рицательное  смещение,  что  необходимо  для  предва-                   описание конструкции дано в [3].
        рительной  высокоэнергетичной  ионной  обработки  и  ВДИ и КМРС представляют неза-
        низкоэнергетичного  ионного  ассистирования.  Кон-                      висимые плазменные устройства,
        структивная схема технологического устройства с ко-                     смонтированные на оси гидроци-
        ническим катодом представлена на рис. 2в, подробное  линдра в непосредственной бли-
        описание  приводится  в  [2].  Большой  диаметр  катода  зости друг от друга. Обрабатыва-
        равнялся 80 мм. Угол конусности катода - 45°. Кони-                     емая  поверхность  перемещается
        ческая форма в сочетании с цилиндрической магнит-                       относительно  сборки  плазмен-
        ной системой КМРС обеспечили высокий коэффициент  ных устройств. Применение ВДИ
        полезного использования материала катода (до 80%).  позволило  использовать  ионную
        Параметры разряда КМРС в режиме нанесения покры-                        обработку металлическими иона-
        тия при давлении аргона около 1 Па – Uр = 490 В, Iр  ми  подложки  при  значительном
        = 7,6 А. При напряжении смещения на подложке 60 В  удалении от катода. В конструк-
        на подложку вытягивался ионный ток до 2 А. В режиме  ции  ВДИ  использовалась  под-
        предварительной ионной обработки ток разряда КМРС  вижная  однотрековая  магнитная
        снижался  до  1  А.  При  напряжении  смещения  1500  В  система,  аналогичная  магнитной
        ионный ток на подложку составил 0,5 А.                                  системе  ЦМРС.  Инициирование
               С целью интенсификации ионной обработки была  дугового  разряда  производилось
        разработана  интегрированная  схема  технологическо-                    кратковременным            включением
        го  плазменного  устройства,  включающая  два  КМРС,  магнетронного разряда на катоде
        расположенных встречно на оси гидроцилиндра. Кон-                       ВДИ (подробнее см. [3]). Отличи-
        структивная схема дана на рис. 2в, подробное описа-                     тельным  признаком  разработан-
        ние приводится в [2].                                                   ного  интегрированного  устрой-
               В  пространстве,  ограниченном  обрабатываемой  ство  была  также  одновременная
        поверхностью  и  коническими  распыляемыми  поверх-                     или попеременная работа ВДИ и
        ностями  катодов,  объединённая  магнитная  система  МРС  при  давлении  аргона  в  ва-
        двух КМРС формирует замкнутую конфигурацию маг-                         куумной  камере  0.3  Па,  что  не
        нитного поля. Благодаря этому плотность ионного тока  характерно  для  типичных  усло-
        на  подложку  удалось  увеличить.  При  использовании  вий эксплуатации ВДИ.
        магнетронов с различными катодами имеется возмож-                              Было разработано и испыта-
        ность наносить биметаллические или композитные по-                      но интегрированное технологиче-
        крытия.                                                                 ское устройство, предназначенное
               Для нанесения биметаллического покрытия медь  для  нанесения  покрытий  на  вну-
        - нержавеющая сталь на внутреннюю поверхность де-                       треннюю  поверхность  большего
        тали диаметром 250 мм было разработано интегриро-                       диаметра, что исключало исполь-
        ванное технологическое устройство, включающее ци-                       зование плазмы магнетронного раз-
        линдрический  вакуумно-дуговой  испаритель  (ВДИ)  с  ряда для организации предвари-
        нержавеющим катодом и КМРС с медным катодом (рис  тельной подготовки поверхности
        2а). Плазменные устройства могут иметь независимые  высокоэнергетичными  ионами

    36    Станочный парк
   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41