Page 137 - eModulDLEAndriDomara
P. 137

Gambar 76. Simbol dan Bentuk Diode schottky

                              a.  Struktur Dioda Schottky

                                        Pada  Dioda  Normal  yang  menggunakan  persimpangan
                                 Positif-Negatif    (PN    Junction),   semikonduktor      tipe-p   dan
                                 semikonduktor tipe-n digunakan untuk membentuk persimpangan
                                 p-n.  Sedangkan  pada  Schottky  Diode,  semikonduktor  tipe-p
                                 digantikan dengan bahan jenis logam seperti aluminium ataupun
                                 platinum sehingga membentuk sambungan persimpangan logam
                                 semikonduktor  tipe-n  (Metal-Semiconductor  tipe-n).  Sambungan
                                 antara  logam  dan  semikonduktor  ini  menghasilkan  lapisan
                                 penghalang  atau  lapisan  deplesi  yang  dikenal  dengan  istilah
                                 “schottky barrier” atau “penghalang schottky”.


















                                   Gambar  77.  Perbedaan  Struktur  Dioda  Schottky  dan  Dioda
                                   Silikon biasa

                              b.  Prinsip Kerja Dioda Schottky

                                         Pada  saat  Dioda  Schottky  (Diode  Schottky)  tidak
                                 diberikan  tegangan  atau  dalam  kondisi  unbiased  (kondisi  tanpa
                                 tegangan),  tingkat  energi  el-ektron  yang  berada  di  sisi
                                 semikonduktor  tipe-n  sangat  rendah  jika  dibandingkan  dengan
                                 tingkat  energi  di  sisi  logam.  Dengan  demikian,  elektron  tidak
                                 dapat  mengalir  melalui  penghalang  persimpangan  yang  disebut
                                 dengan  penghalang  schottky ini.  Namun  apabila  Dioda  Schottky
                                 diberikan tegangan bias maju (forward bias), elektron di sisi




                                                                                                               116
               ANDRI DOMARA 16063054
   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   142