Page 297 - Eletronica Bàsica Semiconductores

Corte y Ruptura

Vamos a ver dos casos, con un transistor de pequeña señal y con uno de gran señal:

Transistor de pequeña señal Transistor de gran señal
(potencia <= 0,5 W) (potencia > 0,5 W)

2N3904 2N3055

Se trabaja con intensidades mayores, entonces las
diferencias también son mayores.

I = 100 mA r Bbe = 1,5 W
C
I = 10 A r Bbe = 0,09 W
C

V BE = 0,7 + 10 · 0,09 = 1,6 V

Aproximamos los 0,85 a 0,7.

El punto de trabajo en el de gran señal esta más a la derecha que en el de pequeña señal. Las
corrientes son tan grandes que la caída I ·r se hace importante, y habría que tenerla en cuenta. Si
C Bbe
vemos la característica de salida:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/Paginas/Pagina15.htm (2 de 3)16/02/2005 9:35:24