Page 41 - Modul 5

d. IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor atau IGBT menggabungkan beberapa
keunggulan transistor daya persimpangan bipolar dan MOSFET daya
Seperti halnya MOSFET, IGBT adalah perangkat yang dikontrol melalui
tegangan dan memiliki jatuh tegangan keadaan ON yang lebih rendah
(kurang dari MOSFET dan lebih dekat ke transistor daya).
IGBT dapat dinyalakan dengan
menerapkan tegangan positif (lebih
besar dari tegangan ambang batas)
antara gate dan emitor. IGBT dapat
dihidupkan dengan mengurangi
tegangan melintasi gate-emitor ke
nol. Dalam sebagian besar kasus,
dibutuhkan tegangan negatif untuk
mengurangi OFF losses sehingga
mematikan IGBT dengan aman. Gambar 5.36 IGBT
Sumber: www.webstudi.site
e. SCR

Silicon Controlled Rectifier (SCR) adalah yang paling banyak digunakan
sebagai perangkat sakelar kecepatan tinggi untuk aplikasi kontrol daya.
SCR adalah sebuah perangkat searah sebagai dioda, terdiri dari tiga
terminal, yaitu anoda, katoda dan gate.
SCR dinyalakan dan dimatikan dengan mengontrol input gerbang dan
kondisi bias dari terminal anoda dan katoda. SCR terdiri dari empat
lapisan dari lapisan P dan N alternatif sehingga batas setiap lapisan
membentuk persimpangan J1, J2 dan J3.

SCR dinyalakan dan dimatikan dengan
mengontrol input gerbang dan kondisi
bias dari terminal anoda dan katoda. SCR
terdiri dari empat lapisan dari lapisan P
dan N alternatif sehingga batas setiap
lapisan membentuk persimpangan J1, J2
dan J3. Gambar 5.37 SCR
Sumber: www.webstudi.site