Page 156 - E- MODUL DLE
P. 156
E- Modul Dasar Listrik dan Elektronika
logam semikonduktor tipe-n (Metal-Semiconductor tipe-n).
Sambun- gan antara logam dan semikonduktor ini menghasilkan
lapisan penghalang atau lapisan deplesi yang dikenal dengan
istilah ―schottky barrier‖ atau ―penghalang schottky‖.
Gambar 95. Perbedaan Struktur Dioda Schottky dan
Dioda Silikon Biasa
4) Prinsip Kerja Dioda Schottky
Pada saat Dioda Schottky (Diode Schottky) tidak
diberikan tegangan atau dalam kondisi unbiased (kondisi tanpa
tegangan), tingkat energi elektron yang berada di sisi
semikonduktor tipe-n sangat rendah jika dibandingkan dengan
tingkat energi di sisi logam. Dengan demikian, el- ektron tidak
dapat mengalir melalui penghalang persimpangan yang disebut
dengan penghalang schottky ini. Namun apabila Dioda Schottky
diberikan tegangan bias maju (forward bias), elektron di sisi
semikoduktor tipe-n akan mendapat energi yang cukup untuk
melewati penghalang persimpangan dan masuk ke wilayah logam.
Elektron ini masuk ke dalam wilayah logam dengan energi yang
sangat besar se- hingga disebut juga elektron pembawa panas (hot
carrier). Oleh karena itu, Schottky Diode ini sering juga
disebut dengan Dioda Pembawa Panas atau Hot Carrier Diode.
Arus listrik akan mengalir melalui Schottky Diode secara
bias maju (for- ward bias) apabila terdapat tegangan maju yang
cukup diberikan ke Schottky Diode. Karena aliran arus listrik ini,
akan terjadi kehilangan te- gangan kecil pada saat melintasi
131
